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金剛石的結構
金剛石是典型的原子晶體，屬于等軸晶系，它的晶格是一個復式格子，在一個面心立方原胞內有四個碳原子，這四個原子分別位于四個空間的對角線的1/4處。金剛石中碳原子的結合是由于碳原子外殼的四個價電子2s，2p3的雜化而形成共價鍵（sp3）。
而每個碳原子和周圍四個碳原子共價，一個碳原子在正四面體的中心，另外四個同它共價的原子在正四面體的頂角上，中心的碳原子和頂角上每一個碳原子共用兩個價電子。如圖1-1所示，棒狀線條視為共價鍵。因此得出，正四面體中心的碳原子價鍵的取向同頂角上的碳原子是不同的。比如：若一個的價鍵指向左上方，則另一個的價鍵必指向右下方。由于價鍵的取向不同，這兩種碳原子周圍的情況也不同，即圖所示立方體的頂角及面心上碳原子的周圍情況是不同于在對角線上的四個碳原子的情況。因此，金剛石結構式復式格子，由兩個面心立方的布喇菲原胞沿其空間對角線位移1/4的長度套構而成。
金剛石的特殊性能
由于金剛石特殊的晶體結構，使金剛石具有許多優(yōu)異的性能。諸如在所有的物質中具有最高的硬度（HV≈100GPa）；在30~650℃內，是熱導率最優(yōu)良的固體物質20W/（cm·K）；對于高純的金剛石，除紅外區(qū)（1800~2500nm）的一小帶外，對紅外光和可見光都具有非常優(yōu)異的透光性能，可應用于短波長光、紫外線的探測器中；金剛石又是良好的絕緣體，室溫下電阻率為1016Ω·cm，摻雜后可成為半導體材料，能制作高溫、高頻、高功率器件；此外還具備許多其他特殊的優(yōu)異性能，如耐腐蝕、抗輻射、耐高溫、化學惰性等。因此，由于金剛石諸多優(yōu)異的性能使得金剛石在現代化的工業(yè)領域有著廣泛的應用前景。下表列出了金剛石的一些突出的性質。
金剛石的優(yōu)異性能
極高的硬度（ca.90Gpa）和耐磨性能
很高的體積模量（1.2×1012N·m-2）
極低可壓縮比（8.3×1013m2·N-1）
室溫下有最高的熱導率（2×1013W（m·K）-1）
極低的熱膨脹系數（1×10-6K）
從紫外到遠紅外的各個波段都有非常優(yōu)異的透過率
高的聲音傳導速率（17.5km·s-1）
良好的絕緣性能（室溫下電阻率為（ca.1013Ω·cm））
摻雜后可以成為半導體材料，并有極寬的禁度寬度（5.4eV）
良好的化學惰性和生物相容性
一些晶面展示出了很低或“負”的電子親合性
人造金剛石的制備方法
高溫高壓(HTHP) 法
高溫高壓（HTHP）法最早是以石墨為原料的，引入適宜的金屬催化劑Fe、Co、Ni、Mn、Cr等，在2000K以上溫度，幾萬個大氣壓下，可以合成金剛石。目前，高溫高壓（HTHP）法只能生長小顆粒的金剛石；在合成大顆粒金剛石單晶方面，主要使用晶種法，在較高壓力和較高溫度下（6000MPa，1800K），幾天時間內使晶種長成粒度為幾個毫米，重達幾個克拉的寶石級人造金剛石，較長時間的高溫高壓使得生產成本昂貴，設備要求苛刻。而且HTHP金剛石由于使用了金屬催化劑，使得金剛石中殘留有微量的金屬粒子，因此要想完全取代天然金剛石還有相當的距離。
化學氣相沉積(CVD) 法
化學氣相沉積（CVD）法是在高溫條件下使原料分解，生成碳原子或甲基原子團等活性粒子，并在一定工藝條件下，在基材（襯底）材料上沉積生長金剛石膜的方法。常見的CVD方法包括：熱化學沉積（TCVD）法，等離子體化學氣相沉積（PCVD）法。等離子體化學氣相沉積法又可以分為直流等離子體化學氣相沉積（DC-PCVD）法、射頻等離子體化學氣相沉積（RF-PCVD）法和微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）法及微波電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積（ECR-PCVD）法等。
微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）由于微波激發(fā)等離子體具有無極放電、污染少、等離子體密度高、成本低、襯底外形適應性強等優(yōu)點，受到國內外研究者的普邊關注。而且其中等離子體是由微波激發(fā)產生，微波能通過波導管傳輸到沉積生長室，使氣體激發(fā)成為等離子體并分解為各種基團。圓筒狀微波等離子體CVD是最基本的一種裝置，通過矩形波導管把2.45GHz的微波限制在發(fā)生器和生長室之間，襯底經微波輻射和等離子體加熱。
CVD金剛石的生長機理
通常化學氣相法沉積的金剛石晶粒生長取決于氣相中活性基團的濃度和生長面的狀態(tài)。在形核階段，氣相中活性基團首先被吸收在襯底表面，然后擴散，聚集在形核能較低的地方（如缺陷等）。而當其大于臨界尺寸時，即形成穩(wěn)定的晶核。隨后晶核以兩種可能的方式長大，一是俘獲表面擴散活性基團，一是氣相中的活性碳氫基團與表面碳懸掛鍵直接鍵合。在初始階段，晶粒的生長以后一種方式為主，即勻速生長，晶粒尺寸正比于生長時間。
CVD金剛石生長中是sp3結構碳生成示意圖
當沉積到一定的時間后，由于形成金剛石過程中會產生一些附產氣體，這些非活性氣體在金剛石生長表面滯留，減少了生長表面的活性位數目，氣相中活性碳氫基團與表面碳的懸掛鍵直接鍵合的機會減少，這時晶粒生長大多是通過生長表面先吸附活性基團，然后活性基團在表面擴散，當遇到表面活性時就發(fā)生鍵合長大；另一方面，隨著沉積時間的延長，晶核長大成膜后即形成晶界，有些還產生孿晶，當活性基團在表面吸附和擴散時，它們容易在這些缺陷處產生二次形核，如圖。CVD金剛石的反應機理：
H2=2H·
CH4=CH3·+H·
CH4+H·=CH3·+H2
由于甲基CH3·具有金剛石結構，而它的懸空鍵又被大量的原子氫飽和。因此，樣品表面就保持了穩(wěn)定的sp3雜化結構，這種結構正是金剛石的正四面體結構。此時若有新沉積上去的碳原子，就可能與其結合形成sp3雜化鍵，從而形成金剛石晶體，照此循環(huán)，即能形成金剛石晶粒。
化學氣相沉積（CVD）法是在高溫條件下使氣態(tài)原料（如甲烷和氫氣）分解，生成碳原子或甲基原子團等活性粒子，并在一定工藝條件下，在襯底表面上沉積金剛石膜的方法。根據激發(fā)等離子體的形式不同則主要方法有：熱絲化學氣相沉積(HFCVD)法、微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)法和直流電弧等離子體噴射(DC Arc Plasma Jet)法。
